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J-GLOBAL ID：200903034554594244

無反射構造を有する光学素子の製造方法

Inventor：
田村 隆正

About 田村 隆正

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梅谷 誠

About 梅谷 誠

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田畑 修

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Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社

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国立大学法人京都大学

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Agent (1)： 小笠原 史朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005008292
Publication number (International publication number)：2006195289
Application date： Jan. 14, 2005
Publication date： Jul. 27, 2006
Summary：
【課題】 反射防止効果が大きい無反射構造を、X線リソグラフィを用いて高精度に製造するための製造方法、特にレンズ面などの曲面上にも高精度に無反射構造を形成する方法を提供する。【解決手段】 X線マスクを介して、光学素子となるべき基板にX線を露光する第1の露光工程と、X線マスクと基板との少なくとも一方を移動させて、両者の相対的な位置関係を変更した後、X線マスクを介して露光された基板にさらにX線を露光する、少なくとも1回以上の第2の露光工程と、露光された基板を現像する現像工程とを備え、X線マスクは、X線透過領域の一つを基本パターンと、基板上に形成すべき無反射構造に対応する仮想的なX線透過領域の配置を全体パターンとしたとき、基本パターン同士が隣接しないように配列されたマスクパターンを有し、第1の露光工程および第2の露光工程を含む複数回のX線露光により、基板上に全体パターンに対応するパターンを露光する。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
無反射構造を有する光学素子の製造方法であって、 前記無反射構造は、反射率を低減すべき光の波長以下のピッチで所定形状がアレイ状に配列されてなり、 X線マスクを介して、前記光学素子となるべき基板にX線を露光する第1の露光工程と、 前記X線マスクと前記基板との少なくとも一方を移動させて、両者の相対的な位置関係を変更した後、前記X線マスクを介して前記露光された基板にさらに前記X線を露光する、少なくとも1回以上の第2の露光工程と、 露光された前記基板を現像する現像工程とを備え、 前記X線マスクは、前記基板にX線を露光するために前記所定形状の配列に対応してアレイ状に配置されたX線透過領域を含み、 前記X線透過領域の一つを基本パターンと、前記基板上に形成すべき前記無反射構造に対応する仮想的な前記X線透過領域の配置を全体パターンとしたとき、 前記全体パターンは、前記基本パターン同士が隣接する部分を含み、 前記X線マスクは、前記全体パターンから、前記基本パターンを一定の周期で間引くことにより、前記基本パターン同士が隣接しないように配列されたマスクパターンを有し、 前記前記第1の露光工程および前記第2の露光工程を含む複数回のX線露光により、前記基板上に前記全体パターンに対応するパターンを露光することを特徴とする、光学素子の製造方法。
IPC (3)：
G02B 1/11 ,  G02B 3/00 ,  G03F 7/20
FI (3)：
G02B1/10 A ,  G02B3/00 Z ,  G03F7/20 503
F-Term (12)：
2H097AA11 ,  2H097AB01 ,  2H097CA15 ,  2H097FA01 ,  2H097GA45 ,  2H097LA17 ,  2K009AA01 ,  2K009AA12 ,  2K009DD00 ,  2K009DD05 ,  2K009DD15 ,  2K009DD17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
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