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J-GLOBAL ID：200903034614940120

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 稲葉 雄一 ,  冨士原 潔 ,  石野 正人 ,  嶋崎 武 ,  木戸口 勲
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996199461
Publication number (International publication number)：1997260781
Application date： Jul. 29, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高バイアス駆動時においても光出力飽和の少ない半導体発光素子を実現する。【解決手段】 n-InP基板の上に、最上層にp-InGaAsコンタクト層を有する埋め込み型へテロ構造を形成した後に、p-InGaAsコンタクト層の上にPt層、Ti層、Pt層から成る金属多層膜を順次蒸着し、アニールを行ってp型電極に含まれるコンタクト電極層を形成する。さらに、全面に金属多層膜を蒸着し、最後にn型電極を形成する。このように、p型電極に含まれるコンタクト電極層をPt層、Ti層及びPt層を順次積層した構造にすることにより、コンタクト抵抗が低減される。この結果、高バイアス駆動時においても発熱が小さくなり、光出力の飽和が少ない高出力半導体発光素子が実現される。

Claim (excerpt)：

コンタクト電極層を含むp型電極を備え、該コンタクト電極層が少なくともPt層を含んでいる、半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-015192   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平3-263890
  
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-303882   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-257084   Applicant：日本電信電話株式会社
• 化合物半導体装置における電極配線の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-101007   Applicant：株式会社東芝
• 特開平3-245585
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079046   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-306886
  
• オーミツク電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-257086   Applicant：日本電信電話株式会社