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J-GLOBAL ID：200903043038832766

半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor： 望月 博 ,  金谷 宏行 ,  國島 巌 ,  首藤 晋 ,  奥和田 久美 ,  日高 修
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997182481
Publication number (International publication number)：1998275897
Application date： Jul. 08, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】強誘電体キャパシタの上部電極をパストランジスタに接続する構造を有する強誘電体メモリセルを製造する際に、強誘電体キャパシタの特性劣化を防止し、かつ、プロセスインテグレーションを可能とする。【解決手段】1個のパストランジスタQと1個の強誘電体キャパシタCとが直列に接続された強誘電体メモリセルMCを製造する際、パストランジスタのソース領域S上の絶縁膜13にコンタクトプラグ15を埋め込み、コンタクトプラグ15の上端面とキャパシタ上部電極19とを電極配線22により接続する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表層部に不純物拡散領域からなるドレイン領域・ソース領域を有するMISトランジスタを形成する工程と、この後、前記半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜に選択的にコンタクトホールを開口し、前記MISトランジスタの一端側領域に下端部がコンタクトするキャパシタコンタクトプラグを埋め込み形成する工程と、この後、前記半導体基板上に下部電極、強誘電体物質を用いた電極間絶縁膜および上部電極を有する強誘電体キャパシタを形成する工程と、前記強誘電体キャパシタの上部電極とキャパシタコンタクトプラグの上端面との間を接続する電極配線を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

• 薄膜キャパシタ及び半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-082091   Applicant：株式会社東芝
• 半導体メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-316295   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-005490   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-283658
  
• 高集積素子用微細コンタクト形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-039850   Applicant：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリーズカンパニーリミテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-305882   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-158570
  
• 特開平4-158571
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-165552   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-165551   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 金属プラグ形成後の表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-232409   Applicant：ソニー株式会社
• 多層配線構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-028249   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 強誘電性メモリ回路の形成方法及び強誘電性コンデンサの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-035838   Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
• 強誘電体容量とその製造方法及びメモリセル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-138826   Applicant：日本電気株式会社