マスクの形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000133750
Publication number (International publication number)：2001312045
Application date： May. 02, 2000
Publication date： Nov. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Fogging及びレジスト面積に起因したクロム膜のエッチングレートの寸法バラツキを、LSIのパターンレイアウトに依存せずに抑制することができるマスクの形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】(a)実パターン領域Rと実パターン領域R以外の空き領域Sとを有する基板1上全面に遮光膜2を形成し、(b)空き領域S上の遮光膜2を残存させたまま実パターン領域R上の遮光膜2を所定の形状にパターニングし、(c)その後、実パターン領域R上のパターニングされた遮光膜2aを残存させたまま空き領域S上の遮光膜2bを除去することからなるマスクの形成方法。

Claim (excerpt)：

(a)実パターン領域と該実パターン領域以外の空き領域とを有する基板上全面に遮光膜を形成し、(b)前記空き領域上の遮光膜を残存させたまま実パターン領域上の遮光膜を所定の形状にパターニングし、(c)その後、前記実パターン領域上のパターニングされた遮光膜を残存させたまま前記空き領域上の遮光膜を除去することからなるマスクの形成方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 , G03F 1/14 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 1/08 L , G03F 1/08 A , G03F 1/14 B , H01L 21/30 502 P

F-Term (6)：

2H095BB01 , 2H095BB03 , 2H095BB16 , 2H095BB31 , 2H095BC08 , 2H095BC27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-130709
半導体装置および半導体素子の金属配線形成用ホトマスクとその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-111603 Applicant：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリーズカムパニーリミテッド
フォトマスクの形成方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-373343 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page