金属腐食を減少させるための還元剤を含有しているフォトレジストストリッパー

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐々井克郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994268033
Publication number (International publication number)：1995219241
Application date： Oct. 07, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、金属腐食を減少又は抑制する為に還元剤を含有しているアルカリ性フォトレジストストリッピング組成物の提供である。【構成】還元剤には、反応性の多重結合を含有している化合物、ヒドラジン及びその誘導体類、オキシム類、ヒドロキノン、ピロガロ-ル、没食子酸及びそのエステル、トコフェロ-ル、6-ヒドロキシ-2,5,7,8-テトラメチルクロマン-2-カルボン酸、BHT、BHA、2,6-ジ-第三ブチル-4-ヒドロキシメチルフェノ-ル、トリオ-ル類、サリチルアルデヒド、4-ヒドロキシベンズアルデヒド、及びグリコ-ルアルデヒドジアルキルアセタ-ル類が含まれる。

Claim (excerpt)：

約8〜約15の溶解度パラメ-タ-を有するストリッピング溶媒約50〜約98重量%、親核性アミン約1〜約50重量%、金属含有基体から硬化又は架橋されたフォトレジストをストリップする為にストリッピング組成剤が使用される時に金属腐食を抑制又は減少させるのに有効な量の還元剤、を含んでおり、該還元剤が反応性の二重結合又は多重結合を含有している化合物、ヒドラジン及びその誘導体類、オキシム類、ヒドロキノン、ピロガロ-ル、没食子酸、2,4,5-トリヒドロキシブチロフェノン、3,5-ジ-第三ブチル-4-ヒドロキシトルエン、3-第三ブチル-4-ヒドロキシアニソ-ル、トコフェロ-ル、6-ヒドロキシ-2,5,7,8-テトラメチルクロマン-2-カルボン酸、チオ-ル類、アルデヒド類、及びそれらの誘導体類からなる群から選択され、該重量%はストリッピング組成物の重量に基づくものである、アルカリ含有フォトレジストストリッピング組成物。

IPC (7)：

G03F 7/42 , C23F 11/12 , C23F 11/12 101 , C23F 11/12 102 , C23F 11/14 , C23F 11/16 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-105186 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 関東化学株式会社
特開平4-124668
水溶性レジストの剥離方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-035275 Applicant：日立化成工業株式会社

Show all

Return to Previous Page