導波路型光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996296151
Publication number (International publication number)：1998144990
Application date： Nov. 08, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は半導体光素子に関し、特に極めて簡易な作製法で実現可能な信頼性の高く、且つ高出力動作に優れたリッジ装荷型光導波路素子の素子構造及びその作製方法を提供することを目的とする。さらなる目的は本発明のリッジ装荷型光導波路素子をジャンクションダウン実装した光モジュールの好適な構造及び製法を提供することにある。【解決手段】リッジ装荷型光導波路の両脇にリッジを形成するためのエッチング溝を設け、そのエッチング溝にのみ半導体以外の物質を充填し平坦化すること、およびエッチング溝の幅を最適な値に設計することにより、素子の高出力特性および信頼性を飛躍的に向上する光導波路構造およびその作製方法を開示する。【効果】本発明に係る半導体発光素子よれば、信頼性の高く、且つ高出力動作に優れたリッジ装荷型光導波路素子を容易な手法で実現できる。本発明を用いれば、素子性能、歩留まりが飛躍的に向上するだけでなく、この素子を適用した光通信システムの大容量化、長距離化を容易に実現できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたリッジ導波路の一部または全領域に電流または電圧を印加するための電極構造を有し、且つ該リッジ導波路の両脇にリッジを形成するためのエッチング溝を有する半導体導波路型光素子において、リッジ上部に電流または電圧を印加するための絶縁膜窓を有し、少なくともリッジ部の上面、底面、側面及びエッチング溝の底面、側面は全て該電極構造により覆われており、さらに該エッチング溝部にのみ半導体以外の物質が該電極構造を覆うように充填されていることを特徴とする半導体導波路型光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

導波路型光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-021474 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-357766 Applicant：古河電気工業株式会社
RWG型半導体レーザー装置及び製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-318159 Applicant：財団法人韓国電子通信研究所, 韓国電気通信公社

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