圧電アクチュエータ及びインクジェット式記録ヘッド

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：稲葉良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001344533
Publication number (International publication number)：2003152233
Application date： Nov. 09, 2001
Publication date： May. 23, 2003
Summary：

【要約】【課題】下部電極として(110)配向のルテニウム酸ストロンチウムを用いた場合に最適な層構成を備えた圧電アクチュエータを提供する。【解決手段】 Si基板20と、前記Si基板上に形成された、SiO2若しくはZrO2、又はSiO2とZrO2との積層構造からなる振動板30と、前記振動板上に形成された、(100)配向のイットリア安定化ジルコニア、CeO2又はZrO2からなるバッファ層32と、前記バッファ層上に形成された、ペロブスカイト構造を有する(110)配向のルテニウム酸ストロンチウムを備えた下部電極42と、前記下部電極上に形成された、(110)配向のPZTからなる圧電体層43と、前記圧電体層上に形成された上部電極44と、を備える。

Claim (excerpt)：

Si基板上に形成された、SiO2若しくはZrO2、又はSiO2とZrO2との積層構造からなる振動板と、前記振動板上に形成された、(100)配向のイットリア安定化ジルコニア、CeO2又はZrO2からなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、ペロブスカイト構造を有する(110)配向のルテニウム酸ストロンチウムを備えた下部電極と、前記下部電極上に形成された、(110)配向のPZTからなる圧電体層と、前記圧電体層上に形成された上部電極と、を備えた、圧電アクチュエータ。

IPC (5)：

H01L 41/08 , B41J 2/045 , B41J 2/055 , H01L 41/09 , H01L 41/187

FI (4)：

H01L 41/08 D , B41J 3/04 103 A , H01L 41/18 101 D , H01L 41/08 U

F-Term (11)：

2C057AF52 , 2C057AF65 , 2C057AF93 , 2C057AG44 , 2C057AG91 , 2C057AP23 , 2C057AP32 , 2C057AP34 , 2C057AP52 , 2C057AP53 , 2C057AP54

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

酸化物電極薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-304036 Applicant：セイコーエプソン株式会社
強誘電体素子、不揮発性強誘電体メモリ素子、インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法並びにインクジェットプリンタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-253480 Applicant：セイコーエプソン株式会社
強誘電体メモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-095422 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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