Pat

J-GLOBAL ID：200903035448875516

窒化ガリウム系化合物半導体装置およびその製造方法

Inventor： 酒井 士郎
Applicant, Patent owner： 国立大学法人徳島大学 ,  ナイトライド・セミコンダクター株式会社
Agent (2)： 吉田 研二 ,  石田 純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005190407
Publication number (International publication number)：2007012809
Application date： Jun. 29, 2005
Publication date： Jan. 18, 2007
Summary：

【課題】GaN系化合物半導体装置において、転位密度を低減する。【解決手段】サファイア基板10の表面にイオンエッチングで溝を形成し、その上にGaInNPバッファ層12及びAlGaN層14を成長させ、さらに発光デバイス構造を成長させる。サファイア基板10の表面上に形成された溝によりAlGaN層14の転位密度が低減する。AlGaN層14のAl組成は10%以下が好ましく、波長345nm以上が好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表面に溝が形成された基板と、 前記基板上に形成されたGaInNPバッファ層と、 前記GaInNPバッファ層上に形成されたAlGaN系化合物半導体層と、 を有することを特徴とするGaN系化合物半導体装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2)：

H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

F-Term (15)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP05 ,  5F173AP23 ,  5F173AP33 ,  5F173AR82

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 窒化物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-387502   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (5)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-235013   Applicant：ローム株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-141188   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-216110   Applicant：シャープ株式会社
• 紫外線発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-132083   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体基材及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-068067   Applicant：三菱電線工業株式会社