窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001141188
Publication number (International publication number)：2002344088
Application date： May. 11, 2001
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】改善された低い閾値電流密度を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する【解決手段】窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体基板の一主面上に形成された溝と丘を含む加工基板101と、この加工基板の溝と丘を覆う窒化物半導体下地層102と、この窒化物半導体下地層上でn型層103〜105とp型層107〜110との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層を含む発光層106を含む窒化物半導体多層発光構造とを含み、丘の幅方向の中央から1μm以上離れかつその丘の幅内の領域の上方に多層発光構造の電流狭窄部が形成されている。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体基板の一主面上に形成された溝と丘を含む加工基板と、前記加工基板の溝と丘を覆う窒化物半導体下地層と、前記窒化物半導体下地層上でn型層とp型層との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層を含む発光層を含む窒化物半導体多層発光構造とを含み、前記丘の幅方向の中央から1μm以上離れかつその丘の幅内の領域の上方に前記発光構造の電流狭窄部が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (3)：

H01S 5/343 610 , G11B 7/125 , H01L 21/205

FI (3)：

H01S 5/343 610 , G11B 7/125 A , H01L 21/205

F-Term (29)：

5D119AA11 , 5D119AA22 , 5D119BA01 , 5D119EB02 , 5D119FA05 , 5D119FA17 , 5F045AA04 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045AF11 , 5F045BB11 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045DA55 , 5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073BA05 , 5F073BA06 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB19 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA32 , 5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-080288 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-292684 Applicant：株式会社東芝
窒化物半導体構造とその製法および発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-216110 Applicant：シャープ株式会社

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