磁性トンネル接合

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003178747
Publication number (International publication number)：2004072090
Application date： Jun. 23, 2003
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

【課題】保磁力を微調整する自由および相当程度のMRを実現する自由を残しながら製造しうるMTJデバイスおよびそれを備えたメモリ・アレイを提供する。【解決手段】障壁層で分離されたフリー層205と被ピン止め層260を備えた磁気トンネル接合デバイス200を提供する。本発明によると、フリー層205はフェリ磁性層210と反平行層220を備えている。反平行層220の磁化モーメントは磁気トンネル接合デバイス200の少なくとも所定温度内でフェリ磁性層210の磁気モーメントと実質的に反平行をなしている。このような磁気トンネル接合デバイス200を備えたメモリ・アレイも提供する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

フリー層と被ピン止め層とを備えた磁気トンネル接合デバイスであって、前記フリー層は障壁層によって前記被ピン止め層から分離されており、前記フリー層は、フェリ磁性材料を含むフェリ磁性層と、前記フェリ磁性層に近接した反平行層とを備え、前記反平行層の磁気モーメントは前記磁気トンネル接合デバイスの少なくとも所定温度範囲内で前記フェリ磁性層の磁気モーメントと実質的に反平行をなしている磁気トンネル接合デバイス。

IPC (3)：

H01L43/08 , G11C11/15 , H01L27/105

FI (3)：

H01L43/08 Z , G11C11/15 110 , H01L27/10 447

F-Term (3)：

5F083FZ10 , 5F083KA01 , 5F083KA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

磁気抵抗素子、該磁気抵抗素子を用いたメモリ素子及び該メモリ素子の記録再生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-078472 Applicant：キヤノン株式会社
磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果記憶素子およびデジタル信号を記憶させる方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-182152 Applicant：松下電器産業株式会社
トンネル磁気抵抗効果型ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-171869 Applicant：ティーディーケイ株式会社

Show all

Return to Previous Page