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J-GLOBAL ID：200903036296610720

パターン形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 米 田 郁 男 ,  馬 越 俊 幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (5)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007084514
Publication number (International publication number)：2008244259
Application date： Mar. 28, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：

【課題】テンプレートによるパターンの転写を行わない領域においてエッチング工程や配線材料埋め込み工程で生じる欠陥を低減する。【解決手段】ウェーハ基板1上の被加工膜上に感光性樹脂2を塗布する工程と、感光性樹脂2の一部を露光して現像し、開口部を有する第1のパターンを形成する工程と、前記第1のパターンの開口部において露出した前記被加工膜上に光硬化性材料3を塗布する工程と、一方の面に所定の凹凸を含む第2のパターンが形成され光透過性を有するテンプレート4の前記一方の面を光硬化性材料3に接触する工程と、テンプレート4の他方の面側から光を照射する工程と、テンプレート4を光硬化性材料3から分離する工程と、を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ウェーハ基板上の被加工膜上に感光性樹脂を塗布する工程と、 前記感光性樹脂の一部を露光して現像し、開口部を有する第1のパターンを形成する工程と、 前記第1のパターンの開口部において露出した前記被加工膜上に光硬化性材料を塗布する工程と、 一方の面に所定の凹凸を含む第2のパターンが形成され光透過性を有するテンプレートの前記一方の面を前記光硬化性材料に接触する工程と、 前記テンプレートの他方の面側から前記光硬化性材料に光を照射する工程と、 前記テンプレートを前記光硬化性材料から分離する工程と、 を備えることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (1)：

H01L 21/027

FI (1)：

H01L21/30 502D

F-Term (2)：

5F046AA01 ,  5F046AA28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• パタ-ン形成方法及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-370629   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (4)

• パターンを有する部材の製造方法、パターン転写装置及びモールド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-114103   Applicant：キヤノン株式会社
• マスクの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-133750   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-086763   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置製造用モールド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-069935   Applicant：三菱電機株式会社