プラズマ化学気相堆積装置及びカーボンナノチューブの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：森脇正志 , 森脇康博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005090063
Publication number (International publication number)：2006265079
Application date： Mar. 25, 2005
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：

【課題】不純物濃度が小さくしかも基板に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを製造することができるマイクロ波プラズマ化学気相堆積装置とカーボンナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】内部にプラズマを生成することのできる真空容器と、直流電圧又は高周波電圧が印加される制御電極と、直流電圧又は高周波電圧が印加されると共に基板を保持する基板ホルダーと、前記真空容器内部にガスを導入及び排出するためのガス導入口及びガス排出口とを備えた化学気相成長装置であって、前記真空容器の内部に生成されたプラズマが前記制御電極を介して基板ホルダーに達する位置に、制御電極及び基板ホルダーが設置されているように構成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

内部にプラズマを生成することのできる真空容器と、直流電圧又は高周波電圧が印加される制御電極と、直流電圧又は高周波電圧が印加されると共に基板を保持する基板ホルダーと、前記真空容器内部にガスを導入及び排出するためのガス導入口及びガス排出口とを備えた化学気相成長装置であって、前記真空容器の内部に生成されたプラズマが前記制御電極を介して基板ホルダーに達する位置に、制御電極及び基板ホルダーが設置されていることを特徴とする化学気相堆積装置。

IPC (3)：

C01B 31/02 , C23C 16/511 , H01L 21/205

FI (3)：

C01B31/02 101F , C23C16/511 , H01L21/205

F-Term (30)：

4G146AA04 , 4G146AA11 , 4G146AD23 , 4G146AD29 , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BC09 , 4G146DA16 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA27 , 4K030BB01 , 4K030CA02 , 4K030CA17 , 4K030FA01 , 4K030FA03 , 4K030JA02 , 4K030KA15 , 4K030KA18 , 4K030KA19 , 4K030KA30 , 4K030KA46 , 5F045AA08 , 5F045AB07 , 5F045AC07 , 5F045AE23 , 5F045BB16 , 5F045DA51 , 5F045EH06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

炭素系超微細冷陰極及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-301259 Applicant：日本真空技術株式会社
ダイヤモンド薄膜製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-337863 Applicant：日本真空技術株式会社

Cited by examiner (6)

カーボンナノチューブの作製方法及びその方法を実施するプラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-132893 Applicant：株式会社アルバック
プラズマ化学気相蒸着装置及びこれを用いた炭素ナノチューブの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-280337 Applicant：学校法人漢陽学院
カーボン微粒子の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-272369 Applicant：関西ティー・エル・オー株式会社

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