ダイヤモンド薄膜製造装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石島茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997337863
Publication number (International publication number)：1999157991
Application date： Nov. 21, 1997
Publication date： Jun. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】大面積のダイヤモンド薄膜を高速に形成できる技術を提供する。【解決手段】導波管4の側面35に設けたスロット6から真空槽20内にマイクロ波を漏洩させ、原料ガス11の高密度プラズマ3を生成させる。基板ホルダ30と導波管4との間に設けた電極25によってプラズマの位置を調節し、プラズマ3をスロット6上の誘電体窓5から離すと共に、原料ガス11を、誘電体窓5と平行に流し、誘電体窓5から遊離した物質を除去する。成膜速度が早く、高品質のダイヤモンド薄膜を得ることができる。偏光解析法により、成膜中の表面を観察できるようにしておくとよい。また、基板31から放射される赤外光を測定し、基板温度制御を行えるようにしておくとよい。

Claim (excerpt)：

真空槽とガス導入管と導波管とを有し、前記真空槽内に基板を配置し、組成式中に炭素原子を有するダイヤモンド薄膜の原料ガスを、前記ガス導入管によって前記真空槽内に導入し、前記導波管内にマイクロ波を放射し、前記原料ガスを励起させてプラズマを発生させ、前記プラズマ中の物質を前記基板表面に到達させ、前記基板表面に薄膜を形成するダイヤモンド薄膜製造装置であって、前記導波管の側面にはスロットが設けられ、前記スロットから前記真空槽内に前記マイクロ波が漏洩するように構成されたことを特徴とするダイヤモンド薄膜製造装置。

IPC (2)：

C30B 29/04 , H01L 21/205

FI (2)：

C30B 29/04 D , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

特開平2-141494
薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-130689 Applicant：株式会社ダイヘン
特開平3-020460

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Cited by examiner (12)

特開平2-141494
薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-130689 Applicant：株式会社ダイヘン
特開平3-020460

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