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J-GLOBAL ID：200903036602819752

多結晶半導体層の製造方法

Inventor：
三井 健二

About 三井 健二


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 池内 寛幸 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001096557
Publication number (International publication number)：2002299234
Application date： Mar. 29, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：
【要約】【課題】多結晶珪素膜の結晶性のバラツキを小さくし、トランジスタ特性のバラツキが小さくできる半導体層を形成する方法を提供する。【解決手段】電気絶縁膜12上に非晶質珪素膜13を形成し、非晶質珪素膜13の断面形状がテーパー状になるようにエッチングしてパターン形成し、エキシマレーザーを照射して非晶質珪素膜13を多結晶化して多結晶珪素膜13’にする。非晶質珪素膜をパターン形成したときの断面形状のテーパー角度は、50度以下であることが好ましい。このようにすると、非晶質珪素膜がエキシマレーザーで、加熱・溶融されたあと、まず、テーパー部分の膜厚が薄い部分から冷却・結晶化されることにより、安定した結晶化を得ることができる。
Claim (excerpt)：
電気絶縁膜上に非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜の断面形状がテーパー状になるようにエッチングしてパターン形成し、エキシマレーザーを照射して前記非晶質珪素膜を多結晶化することを特徴とする多結晶半導体層の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 627 G
F-Term (23)：
5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052FA04 ,  5F052FA22 ,  5F052JA01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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