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J-GLOBAL ID：200903038094900967

レジスト組成物用ベースポリマー並びにレジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  渡辺 淳 ,  渡辺 修 ,  武田 隆信 ,  大澤 洋一 ,  小林 知洋
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999298530
Publication number (International publication number)：2001114825
Application date： Oct. 20, 1999
Publication date： Apr. 24, 2001
Summary：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で表わされる繰り返し単位を含むことを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト用ベースポリマー。【化1】(式中、R<SP>1</SP>は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であって、酸素原子に直結した炭素原子が一級或いは二級であり、R<SP>2</SP>は水素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基である。m、nは0<m<5、0<n<5である。)【効果】 本発明の化学増幅ネガ型レジスト材料は、架橋効率が高く、感度が高いものである。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表わされる繰り返し単位を含むことを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト用ベースポリマー。【化1】(式中、R<SP>1</SP>は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であって、酸素原子に直結した炭素原子が一級或いは二級であり、R<SP>2</SP>は水素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基である。m、nは0<m<5、0<n<5である。)

IPC (7)：

C08F 12/22 ,  C08F 8/00 ,  C08F297/02 ,  C08L 25/18 ,  C08L 53/00 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (7)：

C08F 12/22 ,  C08F 8/00 ,  C08F297/02 ,  C08L 25/18 ,  C08L 53/00 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (113)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC17 ,  2H025FA12 ,  4J002BC121 ,  4J002BN201 ,  4J002BP031 ,  4J002CH052 ,  4J002DF008 ,  4J002EJ067 ,  4J002EN028 ,  4J002EN038 ,  4J002EN048 ,  4J002EN068 ,  4J002EN108 ,  4J002EN118 ,  4J002EN127 ,  4J002EN128 ,  4J002EP018 ,  4J002ES008 ,  4J002ET017 ,  4J002EU018 ,  4J002EU028 ,  4J002EU038 ,  4J002EU048 ,  4J002EU058 ,  4J002EU078 ,  4J002EU108 ,  4J002EU118 ,  4J002EU128 ,  4J002EU138 ,  4J002EU148 ,  4J002EU187 ,  4J002EU208 ,  4J002EU218 ,  4J002EU228 ,  4J002EU238 ,  4J002EV216 ,  4J002EV236 ,  4J002EV238 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002EV328 ,  4J002FD142 ,  4J002FD147 ,  4J002FD156 ,  4J002FD158 ,  4J002FD310 ,  4J002GP03 ,  4J002HA05 ,  4J026HA06 ,  4J026HA26 ,  4J026HA32 ,  4J026HA39 ,  4J026HA49 ,  4J026HB06 ,  4J026HB26 ,  4J026HB32 ,  4J026HB39 ,  4J026HB43 ,  4J026HE05 ,  4J100AB02R ,  4J100AB03R ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07S ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA04S ,  4J100BA05P ,  4J100BA05Q ,  4J100BA05S ,  4J100BA06P ,  4J100BA06Q ,  4J100BA06S ,  4J100BA76P ,  4J100BA76Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100CA31 ,  4J100DA39 ,  4J100FA08 ,  4J100FA19 ,  4J100HA53 ,  4J100HB43 ,  4J100HC09 ,  4J100HC43 ,  4J100HC47 ,  4J100HC57 ,  4J100HC63 ,  4J100HC64 ,  4J100HC69 ,  4J100HC71 ,  4J100HC72 ,  4J100HG01 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 新規なポリマー及びそれを含有するフォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-281009   Applicant：シップレーカンパニーエルエルシー
• 酸に不安定な保護基を有するフェノール樹脂
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-006982   Applicant：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
• 化学増幅フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-120452   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• ネガ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-056256   Applicant：富士通株式会社
• 高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-090203   Applicant：信越化学工業株式会社
• 4-ヒドロキシスチレンとアルキル置換-4-ヒドロキシスチレンとの共重合体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-194485   Applicant：ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレーション