プラズマ処理装置と方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：萩原康司 , 金本哲男 , 亀谷美明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006067835
Publication number (International publication number)：2006310794
Application date： Mar. 13, 2006
Publication date： Nov. 09, 2006
Summary：

【課題】製造が容易で,しかも,処理室内に均一なプラズマを発生させることができるプラズマ処理装置を提供することにある。【解決手段】導波管25に導入されたマイクロ波をスロット40に通して誘電体22に伝播させ,処理容器2内に供給された所定のガスをプラズマ化させて,基板Gにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置1であって,導波管25を複数本並べて配置し,それら導波管25毎に複数の誘電体22をそれぞれ設け,かつ各誘電体22毎に1または2以上のスロット40を設けた。各誘電体22の面積を著しく小さくでき,誘電体22の表面全体にマイクロ波を確実に伝播させることができる。また,誘電体22を支持する支持部材45も細くて済むので,基板Gの上方全体に均一な電磁界を形成でき,処理室内に均一なプラズマを発生できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

導波管に導入されたマイクロ波をスロットに通して誘電体に伝播させ,処理容器内に供給された所定のガスをプラズマ化させて,基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって, 前記導波管を複数本並べて配置し,それら導波管毎に複数の誘電体をそれぞれ設け,かつ各誘電体毎に1または2以上のスロットを設けたことを特徴とする,プラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 , H05H 1/46 , H01L 21/306 , C23C 16/511

FI (4)：

H01L21/205 , H05H1/46 B , H01L21/302 101D , C23C16/511

F-Term (36)：

4K030AA06 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030BA30 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030KA30 , 4K030KA46 , 4K030LA18 , 5F004AA01 , 5F004AA03 , 5F004BA16 , 5F004BA20 , 5F004BB14 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BC03 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F045AA09 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC16 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045BB01 , 5F045BB12 , 5F045EB10 , 5F045EF01 , 5F045EF11 , 5F045EH03 , 5F045EH19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-270987 Applicant：株式会社液晶先端技術開発センター
スロットアレイアンテナおよびプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-314623 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 安藤真, 高橋応明

Cited by examiner (3)

プラズマプロセス装置。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-317947 Applicant：シャープ株式会社, 大見忠弘
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-125052 Applicant：株式会社島津製作所
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-290428 Applicant：株式会社液晶先端技術開発センター

Return to Previous Page