半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：植本雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999218981
Publication number (International publication number)：2000332363
Application date： Aug. 02, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】結晶性の劣化が防止された高性能な長波長の半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に、歪み量子井戸層(発光層)2を含む活性層3と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層4とが形成されており、半導体基板1およびクラッド層4に対する歪み量子井戸層2の歪み量が2%を超える歪み量となっている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、歪み量子井戸層を含む活性層と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層とが形成されている半導体発光素子において、半導体基板およびクラッド層に対する前記歪み量子井戸層の歪み量が2%を超える歪み量となっていることを特徴とする半導体発光素子。

F-Term (15)：

5F073AA05 , 5F073AA45 , 5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073AB17 , 5F073BA02 , 5F073CA07 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA27 , 5F073EA04 , 5F073EA23 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体光素子とそれを用いた応用システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-023662 Applicant：株式会社日立製作所
半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-283422 Applicant：株式会社リコー
半導体の製造方法及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-114177 Applicant：株式会社リコー

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

III-(N,V)混晶半導体の物性と光素子への応用の可能性
MOVPE Growth of GaAs1-xNx Alloys

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