珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003180392
Publication number (International publication number)：2004083873
Application date： Jun. 25, 2003
Publication date： Mar. 18, 2004
Summary：

【解決手段】式(1)で表される繰り返し単位を含む珪素含有高分子化合物。【化1】(R1は単結合又はアルキレン基、R2は水素原子又はアルキル基、R3、R4、R5はアルキル基、ハロアルキル基、アリール基又は珪素含有基、R6は水素原子、メチル基、シアノ基、又は-C(=O)OR8、R8は水素原子、アルキル基又は酸不安定基、R7はアルキル基、-NR9R10又は-OR11であり、R9、R10、R11は水素原子又はアルキル基である。a、bは正数で、0<a+b≦1である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

一般式(1)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする珪素含有高分子化合物。

IPC (4)：

C08F230/08 , G03F7/039 , G03F7/075 , H01L21/027

FI (4)：

C08F230/08 , G03F7/039 601 , G03F7/075 511 , H01L21/30 502R

F-Term (37)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB34 , 2H025CB41 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA10 , 2H025FA41 , 4J100AB07R , 4J100AE02R , 4J100AL04R , 4J100AL34R , 4J100AP01Q , 4J100AP16P , 4J100AR02R , 4J100BA04R , 4J100BA20R , 4J100BA55Q , 4J100BA59Q , 4J100BA72P , 4J100BA80P , 4J100BA81P , 4J100BC04P , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

イオン交換膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-011705 Applicant：日産自動車株式会社
イオン伝導膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-063758 Applicant：財団法人日本自動車研究所
フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-210641 Applicant：大日本インキ化学工業株式会社

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