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J-GLOBAL ID：200903038930336613

温度制御機能を有する半導体装置

Inventor：
江波戸 隆

About 江波戸 隆


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (4)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003422100
Publication number (International publication number)：2005183658
Application date： Dec. 19, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：
【課題】 温度制御機能を有する半導体装置に関し、ペルチェ素子が組み込まれた半導体装置をテストハンドラで温度試験した場合に好結果が得られるパッケージを備えた半導体装置を提供しようとする。【解決手段】 デバイスが組み込まれたウェーハチップ1の上に放熱側金属膜9を表出したペルチェ素子層7が形成された半導体装置50と、半導体装置50が実装された実装基板15と、実装基板15の表出面から半導体装置50の表面一部を覆い且つ放熱側金属膜9上面と揃った高さをもつ樹脂モールド25とを備える。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
デバイスが組み込まれたウェーハチップの上に放熱側金属膜を表出したペルチェ素子モジュールが形成された半導体装置と、 該半導体装置が実装された実装基板と、 該実装基板の表出面から該半導体装置の表面一部を覆い且つ放熱側金属膜上面と揃った高さをもつ樹脂モールドと を備えてなることを特徴とする温度制御機能を有する半導体装置。
IPC (3)：
H01L23/38 ,  H01L23/12 ,  H01L35/30
FI (3)：
H01L23/38 ,  H01L23/12 501W ,  H01L35/30
F-Term (4)：
5F036AA01 ,  5F036BA33 ,  5F036BC33 ,  5F036BE01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-036138   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 特開平4-212442号公報
  • 特開平4-142071号公報
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Cited by examiner (4)
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