半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004181390
Publication number (International publication number)：2006005237
Application date： Jun. 18, 2004
Publication date： Jan. 05, 2006
Summary：

【課題】簡便な方法によりシリコン層のディッシングを抑制でき、安定した平坦性を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、(1)凸部を有するシリコン層を覆う絶縁層のうちシリコン層の凸部の上方部分を除去することにより、シリコン層を露出させる工程と、(2)前記絶縁層の残部でシリコン層を保護しながら、シリコン研磨用スラリーで露出したシリコン層を化学機械研磨する工程とを含む。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

(1)凸部を有するシリコン層を覆う絶縁層のうちシリコン層の凸部の上方部分を除去することにより、シリコン層を露出させる工程と、 (2)前記絶縁層の残部でシリコン層を保護しながら、シリコン研磨用スラリーで露出したシリコン層を化学機械研磨する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/320 , H01L 21/304

FI (3)：

H01L21/88 K , H01L21/304 622D , H01L21/304 622X

F-Term (11)：

5F033HH04 , 5F033HH05 , 5F033HH06 , 5F033HH19 , 5F033PP06 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033QQ50 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033XX01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

シリコンを化学機械研磨する技術
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-555286 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

Cited by examiner (6)

化学的機械的平坦化
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-105903 Applicant：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
誘電体コーティングの平坦化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-102183 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, 株式会社東芝, シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-039592 Applicant：株式会社東芝

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