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J-GLOBAL ID：200903040198206994

電界効果トランジスタの製造方法およびその方法で製造された電界効果トランジスタ

Inventor： 藤森 正成 ,  橋詰 富博 ,  安藤 正彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (3)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004335779
Publication number (International publication number)：2006147843
Application date： Nov. 19, 2004
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：

【課題】従来の有機TFTに比べチャネル分子の配向性を向上させたTFTの安価且つ実施容易な作製方法を提供する。【解決手段】基板上に撥液性の領域14に囲まれた親液性のTFTパターン19を形成し、そのパターンの形状に特徴を持たせることによりチャネル部12に滴下した有機分子やナノワイヤを含む流体に自発的な運動を生じさせ、その運動によりチャネル部に有機分子やナノワイヤを配向させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成された撥液性領域の中に、ソース・ドレイン電極および両電極を結ぶチャネルに対応する親液性領域を形成し、前記チャネルに対応する領域にワイヤあるいは高分子を含む流体を滴下して、前記ソース・ドレイン電極方向に前記滴下された流体を移動させ、該移動により前記流体中の前記ワイヤあるいは高分子を前記ソース・ドレイン電極方向に配向させることを特徴とする電界効果トランジスタの作製方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05

FI (4)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/28

F-Term (28)：

5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG23 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110HM04 ,  5F110HM05 ,  5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 有機ゲート絶縁膜およびこれを用いた有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-331767   Applicant：三星電子株式会社

Cited by examiner (5)

• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-344021   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-234113   Applicant：シャープ株式会社
• 配向積層膜とその製造方法及びそれを用いた有機電子素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-009074   Applicant：松下電器産業株式会社
• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-001096   Applicant：株式会社日立製作所
• ラングミュア-ブロジェット膜の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-147652   Applicant：キヤノン株式会社