Pat

J-GLOBAL ID：200903040250647678

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 清水 三聡 ,  朴 冠錫 ,  矢野 良樹
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  大陽日酸株式会社
Agent (1)： 小越 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006267482
Publication number (International publication number)：2008091394
Application date： Sep. 29, 2006
Publication date： Apr. 17, 2008
Summary：

【課題】窒化物半導体からなるチャネル層とバリア層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、しきい電圧の制御可能であり、ノーマリーオフ動作が可能な素子構造を提供する。【解決手段】窒化物半導体からなるチャネル層とバリア層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、p型InGaN層が、ゲート領域のバリア層に積層された層構造を有することを特徴とするヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタ。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

窒化物半導体からなるバリア層とチャネル層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、p型InGaN層が、ゲート領域のバリア層に積層された構造を有することを特徴とするヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (3)：

H01L29/80 C ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/80 H

F-Term (34)：

5F102FA08 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD05 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR04 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC10 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC22 ,  5F140AC36 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BC13 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140CC08 ,  5F140CE02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 高移動度トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-057070   Applicant：古河電気工業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-196749   Applicant：日本電気株式会社
• 電界効果型化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-164908   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-157830   Applicant：松下電器産業株式会社