Pat
J-GLOBAL ID：200903040322890920

平面研削方法

Inventor：
矢嶋 興一

About 矢嶋 興一

, 
立岩 聡

About 立岩 聡


Applicant, Patent owner：
株式会社ディスコ

About 株式会社ディスコ


Agent (3)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003382209
Publication number (International publication number)：2005150200
Application date： Nov. 12, 2003
Publication date： Jun. 09, 2005
Summary：
【課題】 半導体ウェハの周縁部を周方向に沿って好適に切断することの可能な平面研削方法を提供することにある。を提供すること。【解決手段】 周縁部切断工程と,裏面研削工程とを含む平面研削方法が提供される。まず,周縁部切断工程では,高圧液を噴射することによって半導体ウェハ20の周縁部を周方向に沿って切断して,裏面側から表面側にかけて外側に傾斜した傾斜切断面50を形成する。次いで,裏面研削工程では,周縁部が切断された半導体ウェハ20の裏面を,傾斜切断面50を残存させながら平面研削する。かかる構成により,高圧液の噴射による切断加工は曲線的な切断加工に適しているので,半導体ウェハ20の周縁部を周方向に沿って好適に切断することができる。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
半導体ウェハの裏面を平面研削する平面研削方法であって: 前記半導体ウェハの周縁部を周方向に沿って切断して,前記裏面に対して略垂直な垂直切断面,または前記裏面側から表面側にかけて外側に傾斜した傾斜切断面を形成する周縁部切断工程と; 前記周縁部が切断された前記半導体ウェハの裏面を,前記垂直切断面または前記傾斜切断面を残存させながら平面研削する裏面研削工程と; を含み, 前記周縁部切断工程では,高圧液を噴射することによって前記半導体ウェハの周縁部を切断することを特徴とする,平面研削方法。
IPC (4)：
H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B7/22 ,  B24C1/00
FI (5)：
H01L21/304 601S ,  H01L21/304 631 ,  B24B1/00 A ,  B24B7/22 Z ,  B24C1/00 Z
F-Term (5)：
3C043BB00 ,  3C043CC04 ,  3C049AA04 ,  3C049CA01 ,  3C049CB03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
  • 圧電単結晶基板の切断加工方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-061153   Applicant：日本碍子株式会社
  • 平面研削方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-070773   Applicant：株式会社ディスコ
  • 薄板の加工方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-198253   Applicant：信越半導体株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM