化学増幅型ホトレジスト及びそれを用いたレジストパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：阿形明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998113587
Publication number (International publication number)：1999305442
Application date： Apr. 23, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 KrFエキシマレーザーを用いて0.15〜0.22μmのような微細なレジストパターンを形成する際に、優れた感度、解像度を示し、かつ断面形状の良好なパターンを与える化学増幅型ホトレジストを提供する。【解決手段】 (A)ヒドロキシル基含有スチレン単位50〜85モル%、スチレン単位15〜35モル%及びアクリル酸又はメタクリル酸の第三ブチルエステル単位2〜20モル%からなる共重合体に、(B)放射線の照射により酸を発生する酸発生剤を配合して、化学増幅型ホトレジストとする。

Claim (excerpt)：

(A)酸によりアルカリに対する溶解度が増大する樹脂成分及び(B)放射線の照射により酸を発生する酸発生剤を含有する化学増幅型ホトレジストにおいて、(A)成分が、ヒドロキシル基含有スチレン単位50〜85モル%、スチレン単位15〜35モル%及びアクリル酸又はメタクリル酸の第三ブチルエステル単位2〜20モル%からなる共重合体であることを特徴とする化学増幅型ホトレジスト。

IPC (3)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

除電装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-002495 Applicant：三田工業株式会社
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-270332 Applicant：日本合成ゴム株式会社
新規なコポリマーとコポリマー樹脂バインダー成分からなるフォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-188849 Applicant：シップレーカンパニーエルエルシー

Show all

Return to Previous Page