Pat
J-GLOBAL ID:200903040374140903

半導体基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、半導体パッケージ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003068443
Publication number (International publication number):2004281551
Application date: Mar. 13, 2003
Publication date: Oct. 07, 2004
Summary:
【課題】素子厚の薄い高性能な半導体装置を製造する。【解決手段】本発明の半導体基板は、第1の厚さを有する第1の基板部分と、前記第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有する第2の基板部分とを備え、前記第2の基板部分を基板の外周部に沿って形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
第1の厚さを有する第1の基板部分と、前記第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有する第2の基板部分とを備え、前記第2の基板部分は基板の外周部に沿って形成されていることを特徴とする半導体基板。
IPC (4):
H01L23/12 ,  H01L21/336 ,  H01L23/14 ,  H01L29/78
FI (8):
H01L23/12 F ,  H01L29/78 652G ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655F ,  H01L23/14 S ,  H01L29/78 658A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page