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J-GLOBAL ID:200903040374140903
半導体基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、半導体パッケージ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003068443
Publication number (International publication number):2004281551
Application date: Mar. 13, 2003
Publication date: Oct. 07, 2004
Summary:
【課題】素子厚の薄い高性能な半導体装置を製造する。【解決手段】本発明の半導体基板は、第1の厚さを有する第1の基板部分と、前記第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有する第2の基板部分とを備え、前記第2の基板部分を基板の外周部に沿って形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
第1の厚さを有する第1の基板部分と、前記第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有する第2の基板部分とを備え、前記第2の基板部分は基板の外周部に沿って形成されていることを特徴とする半導体基板。
IPC (4):
H01L23/12
, H01L21/336
, H01L23/14
, H01L29/78
FI (8):
H01L23/12 F
, H01L29/78 652G
, H01L29/78 652Q
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655F
, H01L23/14 S
, H01L29/78 658A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
半導体素子とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-194035
Applicant:株式会社サンコーシヤ, 林豊
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シリコンウェーハ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-058145
Applicant:三菱マテリアル株式会社
-
半導体製造用基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-098210
Applicant:株式会社東芝
-
高耐圧電力用半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-050745
Applicant:株式会社東芝
-
電界効果により制御可能の半導体デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-218430
Applicant:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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