半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997343290
Publication number (International publication number)：1999176814
Application date： Dec. 12, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】レジストマスクをアッシングする際、HSQ材料が膜減りして後退したり、水分を多く含む吸湿性の高い膜に変質しないようにする。【解決手段】基板1の上にSi-H結合を含む絶縁膜5を形成した後、絶縁膜5の選択された領域上にレジストマスク7を形成する。絶縁膜5のうちレジストマスク7で覆われていない部分をエッチングし、絶縁膜5にビア8を形成した後、レジストマスク7を除去する。このレジストマスク7を除去する際、水蒸気プラズマ9または水素と酸素の混合ガスから形成したプラズマを用いてレジストマスク7をアッシングする。

Claim (excerpt)：

Si-H結合を含む絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の選択された領域上にレジストマスクを形成する工程と、前記絶縁膜のうち前記レジストマスクで覆われていない部分をエッチングし、前記絶縁膜に凹部を形成する工程と、前記レジストマスクを除去する工程と、を包含する半導体装置の製造方法であって、前記レジストマスク除去工程は、水蒸気を含有するガスから形成したプラズマを用いて前記レジストマスクをアッシングする工程を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , G03F 7/42

FI (2)：

H01L 21/302 H , G03F 7/42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開昭56-135928
積層絶縁膜のプラズマエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-122682 Applicant：ソニー株式会社
特開平2-049425

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