トレンチゲート型半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000152980
Publication number (International publication number)：2001332727
Application date： May. 24, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】トレンチ内に設けられたMOS構造のゲートを有するトレンチゲート型半導体装置において、ストライプ状トレンチのトレンチ終端に起因するゲート耐圧低下の問題や、ゲート酸化膜の信頼性を向上させる。【解決手段】?@チップ端に向かうトレンチ5の終端と、隣接するトレンチの端とを、幅W2が直線部のトレンチの幅W1 より大きい連結部51で結ぶ。特にW2 /W1 ≧1.5とするとよい。?Aトレンチ5を角丸方形とし、同心状に配置する。?Bチップ端に向かうトレンチ5の終端を湾曲させて伸し、直線部分に接続させる。

Claim (excerpt)：

第一導電型ドレイン層と、その第一導電型ドレイン層上に設けられた第二導電型チャネル領域と、第二導電型チャネル領域の表面層に選択的に形成された第一導電型ソース領域と、その第一導電型ソース領域の表面から第二導電型チャネル領域を貫通し第一導電型ドレイン層に達するトレンチと、トレンチ内にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極層と、第一導電型ソース領域と第二導電型チャネル領域との表面に共通に接触して設けられたソース電極と、第一導電型ドレイン層に接触して設けられたドレイン電極とからなるトレンチゲート型MOS半導体装置において、隣接するトレンチの終端をつなぐトレンチ連結部を設け、そのトレンチ連結部の幅がストライプ状トレンチの直線部の幅よりも大きいことを特徴とするトレンチゲート型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 29/74

FI (3)：

H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 653 C , H01L 29/74 X

F-Term (5)：

5F005AE07 , 5F005AE09 , 5F005BA02 , 5F005BA03 , 5F005BB02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

絶縁電極およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-184730 Applicant：日産自動車株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-017969 Applicant：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-061389 Applicant：株式会社東芝

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