電子放出素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡田和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003160558
Publication number (International publication number)：2004362960
Application date： Jun. 05, 2003
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：

【課題】FED(Field Emission Display)などに好適な均一でかつ高い電子放出サイト密度をもつ電子放出素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】金属基板1上に、数μm程度のサイズのグラファイトの超微粒子2を配置し、この超微粒子2上に、DCバイアス熱CVD法によって、微小線状物としてのカーボンナノチューブ4を選択に成長させ、カーボンナノチューブ4を電子放出サイトとする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上またはワイヤ上に所要の配置で電子伝導性を有する微小線状物を形成してなる電子放出素子。

IPC (5)：

H01J1/304 , B82B1/00 , B82B3/00 , H01J9/02 , H01J29/04

FI (5)：

H01J1/30 F , B82B1/00 , B82B3/00 , H01J9/02 B , H01J29/04

F-Term (20)：

5C031DD17 , 5C127AA01 , 5C127BA13 , 5C127BA15 , 5C127BB07 , 5C127BB15 , 5C127CC03 , 5C127DD09 , 5C127DD12 , 5C127EE03 , 5C127EE20 , 5C135AA13 , 5C135AA15 , 5C135AB07 , 5C135AB15 , 5C135AC02 , 5C135AC07 , 5C135GG12 , 5C135HH03 , 5C135HH15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

ナノスケール導体アセンブリとその製造方法、電界放出装置、マイクロ波真空管増幅器、及びディスプレイ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-216032 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
炭素系超微細冷陰極及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-301259 Applicant：日本真空技術株式会社
電子放出素子およびその製造方法並びに該電子放出素子を用いた画像表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-192025 Applicant：シャープ株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

“Observation of carbon nanotubes synthesized on various substrates using metal-phthalocyanine”

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