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J-GLOBAL ID：200903041158319490

III族窒化物系化合物半導体の製造方法

Inventor：
小池 正好

About 小池 正好

, 
渡辺 大志

About 渡辺 大志


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001315955
Publication number (International publication number)：2003124128
Application date： Oct. 12, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：
【要約】【課題】貫通転位の抑制されたIII族窒化物系化合物半導体を製造する。【解決手段】基板1上に、バッファ層2と、第1のIII族窒化物系化合物半導体層3とを順に形成し、格子欠陥を含む部分を速く侵食させてピットを形成させる。第1のIII族窒化物系化合物半導体層3の表面まで伝播している貫通転位102はピットPを形成する。第1のIII族窒化物系化合物半導体層3の平坦部を核として、第2のIII族窒化物系化合物半導体4を縦及び横方向エピタキシャル成長させる。このとき第2のIII族窒化物系化合物半導体4には、第1のIII族窒化物系化合物半導体層3のピットPから伝播する貫通転位は極めて少ない。(図1の(c))。第2のIII族窒化物系化合物半導体4のエピタキシャル成長を長時間行い、厚膜に形成する(図1の(d))。この後、バッファ層2、第1のIII族窒化物系化合物半導体3全てを除いて第2のIII族窒化物系化合物半導体4のみとする(図1の(e))。
Claim (excerpt)：
基板の除去された、又は基板上にバッファ層を介し若しくは介さずに形成された1層又は複数層の積層された第1のIII族窒化物系化合物半導体の最上層の格子欠陥を含む部分を、格子欠陥を含まない部分よりも侵食しやすい溶液又は蒸気により処理するピット形成工程と、当該ピット形成工程により形成された前記第1のIII族窒化物系化合物半導体の最上層のピットでない、平坦な部分を核として第2のIII族窒化物系化合物半導体を縦及び横方向エピタキシャル成長させる横成長工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 29/201 ,  H01S 5/343 610
FI (4)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 29/201 ,  H01S 5/343 610
F-Term (30)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TC17 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045DB09 ,  5F045EB13 ,  5F045HA14 ,  5F073AA74 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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