ケイ素微粒子発光体の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (6)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008240083
Publication number (International publication number)：2009132872
Application date： Sep. 18, 2008
Publication date： Jun. 18, 2009
Summary：

【課題】ケイ素微粒子の可視光領域における発光特性、非毒性等を損なうことなく、液体に対する分散性を向上させる【解決手段】ケイ素微粒子発光体の製造方法は、不活性雰囲気下においてケイ素源と炭素源を含む混合物を焼成する工程と、不活性雰囲気から生成ガスを抜き出し急冷してケイ素微粒子を含む混合粉体を得る工程と、混合粉体をフッ酸および酸化剤を含むエッチング溶液に浸漬してエッチングする工程と、エッチング後のケイ素微粒子の表面に付加されたH原子を親水基を有する不飽和炭化水素基で置換する(終端処理という)と、を含む。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

不活性雰囲気下においてケイ素源と炭素源を含む混合物を焼成する工程と、前記不活性雰囲気から生成ガスを抜き出し急冷してケイ素微粒子を含む混合粉体を得る工程と、前記混合粉体をフッ酸および酸化剤を含むエッチング溶液に浸漬してエッチングする工程と、を含むことを特徴とするケイ素微粒子発光体の製造方法。

IPC (4)：

C09K 11/08 , C01B 33/021 , C09K 11/00 , C09K 11/59

FI (4)：

C09K11/08 D , C01B33/021 , C09K11/00 C , C09K11/59

F-Term (16)：

4G072AA01 , 4G072BB05 , 4G072DD07 , 4G072GG03 , 4G072HH29 , 4G072JJ47 , 4G072KK17 , 4G072LL03 , 4G072MM01 , 4G072MM36 , 4G072MM40 , 4G072QQ06 , 4G072TT01 , 4G072UU30 , 4H001CA02 , 4H001XA14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

シリコン超微粒子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-071423 Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (3)

ケイ素微粒子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-304751 Applicant：株式会社ブリヂストン
癌細胞検知・視覚用ナノシリコン蛍光素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-252236 Applicant：学校法人東京電機大学
半導体ナノ粒子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-141739 Applicant：山本健二

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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