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J-GLOBAL ID:200903041633922180
フォトレジストおよびミクロリソグラフィのための方法
Inventor:
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,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
谷 義一 (外2名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000578698
Publication number (International publication number):2002528766
Application date: Oct. 26, 1999
Publication date: Sep. 03, 2002
Summary:
【要約】ポジ型フォトレジスト、ならびに関連する紫外光(UV)および青紫色光におけるミクロリソグラフィのための方法が開示される。フォトレジストは、(a)保護された酸基を含有する分枝状ポリマー、および(b)少なくとも1つの光酸発生剤を含む。フォトレジストは、紫外光全体にわたる高い透明度、良好な現像特性、高いプラズマエッチ抵抗性、および他の望ましい特性を有し、および近紫外、遠紫外、および極紫外光における、特に365nm以下の波長におけるミクロリソグラフィのために有用である。
Claim (excerpt):
ポジ型フォトレジストであって、 (A)保護された酸基を含有する分枝ポリマーであり、前記ポリマーが線状主鎖セグメントに沿って化学的に結合した1つまたは複数の側鎖セグメントを含む分枝ポリマーと、 (B)少なくとも1つの光酸発生剤とを含むことを特徴とするポジ型フォトレジスト。
IPC (5):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, G03F 7/38
, H01L 21/027
, C08F290/04
FI (5):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, G03F 7/38
, C08F290/04
, H01L 21/30 502 R
F-Term (31):
2H025AA00
, 2H025AA04
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC01
, 2H025AC04
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 2H025FA01
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 2H096AA25
, 2H096BA09
, 2H096BA11
, 2H096BA20
, 2H096DA01
, 2H096EA02
, 2H096EA03
, 2H096EA04
, 2H096FA01
, 2H096GA08
, 4J027AA02
, 4J027AA08
, 4J027BA07
, 4J027CC05
, 4J027CD10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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感放射線性樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-259755
Applicant:日本合成ゴム株式会社
-
重合体結合増感剤
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-165664
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
-
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-187942
Applicant:日本合成ゴム株式会社
-
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-352621
Applicant:ジェイエスアール株式会社
-
特開平4-230645
-
パターン形成材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-273288
Applicant:松下電器産業株式会社
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