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J-GLOBAL ID：200903041686280113

III族窒化物半導体基板およびその製造方法

Inventor： 碓井 彰 ,  柴田 真佐知 ,  大島 祐一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社 ,  日立電線株式会社
Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002193733
Publication number (International publication number)：2004039810
Application date： Jul. 02, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。【解決手段】サファイア基板61上に金属Ti膜63を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するTiN膜64を形成する。その後、HVPE-GaN層66を成長する。金属Ti膜63およびTiN膜64の作用により、HVPE-GaN層66中には空隙65が形成される。この空隙65の箇所からサファイア基板61を剥離除去する。【選択図】 図6

Claim (excerpt)：

下地基板上に、金属元素含有膜を形成する工程と、 該金属元素含有膜上に接して、空隙部を含むIII族窒化物半導体層を形成する工程と、 前記空隙部を剥離箇所として前記下地基板を剥離して除去する工程と、 を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L21/205 ,  C30B29/38

FI (2)：

H01L21/205 ,  C30B29/38 D

F-Term (28)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077EE07 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD11 ,  5F045AE21 ,  5F045AF09 ,  5F045AF14 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 窒化物半導体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-038213   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体の結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-240384   Applicant：日立電線株式会社
• III族窒化物半導体基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-064345   Applicant：日本電気株式会社, 日立電線株式会社
• 窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-151139   Applicant：日本電気株式会社, 日立電線株式会社
• 窒素化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-030669   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-141302   Applicant：松下電器産業株式会社