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J-GLOBAL ID：200903041745677545

III族窒化物結晶の成長方法およびIII族窒化物結晶

Inventor： 藤原 伸介 ,  岡久 拓司 ,  上村 智喜 ,  上松 康二 ,  西岡 志行 ,  中幡 英章
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007042194
Publication number (International publication number)：2008201647
Application date： Feb. 22, 2007
Publication date： Sep. 04, 2008
Summary：

【課題】III族窒化物結晶の収率を向上することができるIII族窒化物結晶の成長方法およびそのIII族窒化物結晶の成長方法により成長させたIII族窒化物結晶を提供する。【解決手段】基板8を保持するためのサセプタ6の表面6aに対向する対向面11aとサセプタの周囲を覆うように配置された側面11bとによって区画される成長室19を形成し、対向面11a、側面11b、および対向面と側面との境界からなる群から選択された少なくとも1箇所から原料ガスを成長室19に導入し、原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとの反応による基板8上へのIII族窒化物結晶の成長時に対向面11aの温度および側面11bの温度をそれぞれサセプタ6の表面6aに保持された基板8の温度よりも高くする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板を保持するためのサセプタの表面に対向する対向面と前記サセプタの周囲を覆うように配置された側面とによって区画される成長室を形成し、 前記対向面、前記側面、および前記対向面と前記側面との境界からなる群から選択された少なくとも1箇所から原料ガスを前記成長室に導入し、 前記原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとの反応による前記基板上へのIII族窒化物結晶の成長時に前記対向面の温度および前記側面の温度をそれぞれ前記サセプタの表面に保持された基板の温度よりも高くすることを特徴とする、III族窒化物結晶の成長方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/10 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (4)：

C30B29/38 D ,  C30B25/10 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

F-Term (47)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EG04 ,  4G077EG15 ,  4G077EG17 ,  4G077EG22 ,  4G077EG25 ,  4G077HA02 ,  4G077HA04 ,  4G077HA05 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TC01 ,  4G077TC05 ,  4G077TC06 ,  4G077TE01 ,  4G077TF01 ,  4G077TJ03 ,  4K030AA02 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030EA01 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA05 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  4K030KA26 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045DQ06 ,  5F045EK30 ,  5F045EM10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 窒化物の気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-364153   Applicant：日本電気株式会社
• アルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法並びに製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-111934   Applicant：株式会社トクヤマ

Cited by examiner (5)

• ハイドライド気相成長装置および半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-225018   Applicant：古河機械金属株式会社
• Al含有窒化物のハイドライド気相成長装置およびAl含有窒化物半導体基板の製造方法ならびにAl含有窒化物半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-225029   Applicant：古河機械金属株式会社
• 窒化ガリウム単結晶基板ならびにその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-137194   Applicant：住友電気工業株式会社
• III-V族化合物半導体製造装置及びIII-V族化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-057503   Applicant：シャープ株式会社, 大和半導体株式会社
• AlN単結晶膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-024940   Applicant：国立大学法人三重大学, 日本碍子株式会社