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J-GLOBAL ID：200903056720549426

Al含有窒化物のハイドライド気相成長装置およびAl含有窒化物半導体基板の製造方法ならびにAl含有窒化物半導体基板

Inventor：
佐藤 忠重

About 佐藤 忠重

, 
矢口 裕一

About 矢口 裕一

, 
錦織 豊

About 錦織 豊


Applicant, Patent owner：
古河機械金属株式会社

About 古河機械金属株式会社


Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005225029
Publication number (International publication number)：2007042843
Application date： Aug. 03, 2005
Publication date： Feb. 15, 2007
Summary：
【課題】 HVPE法による効果的なAl含有窒化物の結晶成長を実現できるAl含有窒化物のハイドライド気相成長装置を提供する。【解決手段】 ハイドライド気相成長(HVPE)装置30は、反応管と、反応管にAlのハロゲン化物を含む原料ガスを導入する第1ガス導入部である原料供給口領域53と、当該反応管に水素化窒素ガスを含む原料ガスを導入する第2ガス導入部である原料供給口領域53と、反応管内に配置されたウェハ保持部である基板ホルダ41と、を備えるものである。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
反応管と、 前記反応管にAlのハロゲン化物を含む原料ガスを導入する第1ガス導入部と、 前記反応管に水素化窒素ガスを含む原料ガスを導入する第2ガス導入部と、 前記反応管内に配置されたウェハ保持部と、 を備え、 前記反応管が、アルミナ,カーボン,AlN,BN,SiCのいずれか、またはそれらのいずれかを主な原料とした材料で構成されることを特徴とするAl含有窒化物のハイドライド気相成長装置。
IPC (5)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/08 ,  C30B 29/38
FI (5)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 B ,  C30B25/08 ,  C30B29/38 B
F-Term (35)：
4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EG22 ,  4G077EG25 ,  4G077TA04 ,  4G077TA11 ,  4G077TB04 ,  4G077TD01 ,  4G077TD04 ,  4G077TD06 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030KA09 ,  4K030KA47 ,  4K030LA14 ,  5F045AA01 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045BB09 ,  5F045DP04 ,  5F045EC05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (6)
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