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J-GLOBAL ID：200903041893459760

マイクロセンサモジュールの実装構造および実装方法

Inventor：
葛原 一功

About 葛原 一功

, 
田中 恭史

About 田中 恭史


Applicant, Patent owner：
松下電工株式会社

About 松下電工株式会社


Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999365565
Publication number (International publication number)：2001183389
Application date： Dec. 22, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：
【要約】【課題】小型化が可能であり、低コスト化できるマイクロセンサモジュールの実装構造と実装方法を提供する。【解決手段】上面に検出素子12を備えた撓み部3が設けられた加速度センサ1の下面が下側ストッパガラス9と陽極接合され、さらに加速度センサ1の上面に上側ストッパガラス14が配置され、加速度センサ1、上側ストッパガラス14、下側ストッパガラス9からなる加速度センサ部30がセラミック基板15上に実装される。検出素子12からの検出信号が、加速度センサ1に設けられた貫通配線4と、下側ストッパガラス9に設けられた貫通配線10を介して、セラミック基板15に伝達される。
Claim (excerpt)：
半導体基板から形成され基板面両面を貫通し接続する第1の貫通配線を有するとともに一面側に所定の検出信号を出力する検出部を備えたマイクロセンサと、両面を貫通し接続する第2の貫通配線を有し前記第1の貫通配線と第2の貫通配線が電気的接続されるように前記マイクロセンサの他面側に陽極接合されたガラス基板とが、前記ガラス基板の陽極接合されていない側が基板側となるように基板上に実装され、前記検出信号が前記第1および第2の貫通配線を介して前記基板に伝達されることを特徴とするマイクロセンサモジュールの実装構造。
IPC (3)：
G01P 15/12 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 21/60 311
FI (3)：
G01P 15/12 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 21/60 311 Q
F-Term (14)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC12 ,  2F055DD04 ,  2F055EE40 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  5F044KK04 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044RR17 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 加速度センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-029143   Applicant：株式会社日立製作所, 日立オートモテイブエンジニアリング株式会社
  • 半導体圧力センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-279432   Applicant：松下電工株式会社
  • 静電容量式加速度センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-241680   Applicant：三菱電機株式会社
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