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J-GLOBAL ID:200903046090399794
半導体装置及びその製造方法と製造装置
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997283678
Publication number (International publication number):1999121484
Application date: Oct. 16, 1997
Publication date: Apr. 30, 1999
Summary:
【要約】【課題】短時間で半導体チップの電極と基板の電極とをバンプを介して接続した半導体装置に樹脂充填を行うことができ、さらに樹脂充填時に発生するボイドによる不良も低減できる半導体装置及びその製造方法と製造装置を提供する。【解決手段】半導体チップ2が接合された基板4上の半導体チップ2の外周に、液状樹脂を塗布しない一部分(排気口6)を残して前記液状樹脂8を塗布し、この半導体装置を減圧下に所定時間保持して、半導体チップ2と基板4との間隙の空気を、排気口6を介して排気する。さらに、液状樹脂8を加熱して排気口6に液状樹脂8を浸透させ、半導体チップ2の全外周を液状樹脂8で充填する。半導体装置を大気圧下に戻して、半導体チップ2と基板4との前記間隙を液状樹脂8で充填する。
Claim (excerpt):
半導体チップが基板に接合され、この半導体チップと基板の間に形成された間隙に液状樹脂を充填する半導体装置の製造方法において、前記基板上の前記半導体チップの外周に、液状樹脂を塗布しない部分を設けながら前記半導体チップを囲うように前記液状樹脂を塗布する工程と、前記半導体チップと基板の前記間隙の空気を、前記液状樹脂を塗布しない部分を介して排気する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2):
H01L 21/56
, H01L 21/60 311
FI (2):
H01L 21/56 E
, H01L 21/60 311 S
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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樹脂封止方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-110720
Applicant:松下電器産業株式会社
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フリップチップ実装体の樹脂封止方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-042888
Applicant:松下電器産業株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-125474
Applicant:カシオ計算機株式会社
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