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J-GLOBAL ID：200903042280157708

薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法

Inventor：
長岡 弘二郎

About 長岡 弘二郎


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004349368
Publication number (International publication number)：2006161061
Application date： Dec. 02, 2004
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：
【課題】 原子層蒸着法により、基板に設けられたトレンチの内壁を覆う状態で、組成比の変わらない均一な膜厚のキャパシタ絶縁膜を形成可能な薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板11に形成されたトレンチ13の内壁に、少なくともキャパシタ絶縁膜14および上部電極を下層から順に積層してなるトレンチキャパシタを備え、原子層蒸着法により、トレンチ13の内壁を覆う状態でキャパシタ絶縁膜14を形成する薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法であって、キャパシタ絶縁膜14を形成する工程では、原子層を形成するソースガスのキャリアガスとして水素ガスを用いることを特徴とする薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
原子層蒸着法により、凹凸を有する基板の表面を覆う状態で、薄膜を形成する方法であって、 原子層を形成するソースガスのキャリアガスとして水素ガスを用いる ことを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (6)：
C23C 16/455 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (5)：
C23C16/455 ,  H01L21/316 C ,  H01L27/10 625Z ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/04 C
F-Term (23)：
4K030AA17 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA01 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF27 ,  5F058BF37 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD15 ,  5F083AD22 ,  5F083AD24 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (9)
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