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J-GLOBAL ID:200903042334034062
微細パターンの形成方法及び該微細パターンを有する電気素子
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長尾 達也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997137594
Publication number (International publication number):1998313008
Application date: May. 13, 1997
Publication date: Nov. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】本発明は、絶縁性基板上に微細パターンを安定に再現性良く作製することのできる微細パターンの形成方法と、該微細パターンを有する量子効果電子デバイスとしての電気素子を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、絶縁性基板上に超薄膜の有機薄膜を形成し、該有機薄膜と探針との間に作用する原子間力によって、該有機薄膜に所定の接触力で接触させて該有機薄膜に切削加工を行い、該切削加工が行われた有機薄膜を加熱焼成して導電性薄膜を形成し、または、該有機薄膜を加熱焼成してなる導電性薄膜と探針との間に作用する原子間力によって、該導電性薄膜に所定の接触力で接触させて該導電性薄膜に切削加工を行うことを特徴とするものであり、また本発明の電気素子は前記した本発明のいずれかの微細パターンの形成方法により形成された微細パターンで構成されていることを特徴とするものである。
Claim (excerpt):
絶縁性基板上に超薄膜の有機薄膜を形成し、該有機薄膜と探針との間に作用する原子間力によって、該有機薄膜に所定の接触力で接触させて該有機薄膜に切削加工を行い、該切削加工が行われた有機薄膜を加熱焼成して導電性薄膜を形成し、または、該有機薄膜を加熱焼成してなる導電性薄膜と探針との間に作用する原子間力によって、該導電性薄膜に所定の接触力で接触させて該導電性薄膜に切削加工を行うことを特徴とする微細パターンの形成方法。
IPC (5):
H01L 21/3205
, G02B 21/00
, H01L 21/28
, H01L 29/06
, H01L 29/80
FI (5):
H01L 21/88 B
, G02B 21/00
, H01L 21/28 H
, H01L 29/06
, H01L 29/80 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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微細加工方法及びこの方法で加工された加工物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-328429
Applicant:藤平正道, 大日本印刷株式会社
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カーボン薄膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-087903
Applicant:三菱電線工業株式会社
-
導電性膜形成用材料、該材料を用いる導電性膜の形成方法、及び、該形成方法を用いる電子放出素子,電子源,画像形成装置等の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-208484
Applicant:キヤノン株式会社
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メモリ素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-140331
Applicant:株式会社日立製作所
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単一電子素子及びその製作方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-015062
Applicant:株式会社日立製作所
-
電子波干渉素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-083178
Applicant:日本電気株式会社
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