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J-GLOBAL ID:200903042334034062

微細パターンの形成方法及び該微細パターンを有する電気素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長尾 達也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997137594
Publication number (International publication number):1998313008
Application date: May. 13, 1997
Publication date: Nov. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】本発明は、絶縁性基板上に微細パターンを安定に再現性良く作製することのできる微細パターンの形成方法と、該微細パターンを有する量子効果電子デバイスとしての電気素子を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、絶縁性基板上に超薄膜の有機薄膜を形成し、該有機薄膜と探針との間に作用する原子間力によって、該有機薄膜に所定の接触力で接触させて該有機薄膜に切削加工を行い、該切削加工が行われた有機薄膜を加熱焼成して導電性薄膜を形成し、または、該有機薄膜を加熱焼成してなる導電性薄膜と探針との間に作用する原子間力によって、該導電性薄膜に所定の接触力で接触させて該導電性薄膜に切削加工を行うことを特徴とするものであり、また本発明の電気素子は前記した本発明のいずれかの微細パターンの形成方法により形成された微細パターンで構成されていることを特徴とするものである。
Claim (excerpt):
絶縁性基板上に超薄膜の有機薄膜を形成し、該有機薄膜と探針との間に作用する原子間力によって、該有機薄膜に所定の接触力で接触させて該有機薄膜に切削加工を行い、該切削加工が行われた有機薄膜を加熱焼成して導電性薄膜を形成し、または、該有機薄膜を加熱焼成してなる導電性薄膜と探針との間に作用する原子間力によって、該導電性薄膜に所定の接触力で接触させて該導電性薄膜に切削加工を行うことを特徴とする微細パターンの形成方法。
IPC (5):
H01L 21/3205 ,  G02B 21/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/80
FI (5):
H01L 21/88 B ,  G02B 21/00 ,  H01L 21/28 H ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/80 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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