半導体レーザ装置とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998147016
Publication number (International publication number)：1999340562
Application date： May. 28, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】従来例に比較して閾値電流を低くすることができる、導波路レンズが一体で形成された半導体レーザ装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 p型クラッド層とn型クラッド層との間に量子井戸層を備え、量子井戸層が実質的に一定の厚さになるように形成されたレーザ発振活性層とレーザ発振活性層との境界から出射端に向かって徐々に厚さが減少するように形成された導波路層とからなる導波路レンズ一体型の半導体レーザ装置であって、導波路層において、レーザ発振活性層の厚さの70%以上の厚さを有する第1導波路層の長さを、レーザ発振活性層の厚さの70%以下の厚さを有する第2導波路層の長さより短くした。

Claim (excerpt)：

p型クラッド層とn型クラッド層との間に量子井戸層を備え、上記量子井戸層が、実質的に一定の厚さになるように形成されたレーザ発振活性層と、上記レーザ発振活性層との境界から出射端に向かって徐々に厚さが減少するように形成された導波路層とからなる導波路レンズ一体型の半導体レーザ装置であって、上記導波路層において、上記レーザ発振活性層の厚さの70%以上の厚さを有する第1導波路層の長さを、上記レーザ発振活性層の厚さの70%以下の厚さを有する第2導波路層の長さより短くしたことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-322833 Applicant：富士通株式会社
半導体光導波路およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217986 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-185187 Applicant：富士通株式会社

Show all

Return to Previous Page