選択成長用マスク,半導体光装置の製造方法,および半導体光装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：早瀬憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995107363
Publication number (International publication number)：1996307012
Application date： May. 01, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】精密な層厚プロファイル制御が可能なマスクパターンの設計を容易にすることができる選択成長用マスクを得る。【構成】光導波路を構成する半導体層が結晶成長される基板1の表面上に、共振器長方向に延びる直線10に対して線対称に配置される誘電体マスク対2a,2bからなり、該マスク対の相互に対向する辺がいずれも上記直線に対し平行であり、かつ、該マスク対を構成する各マスクの、共振器長方向に対して垂直方向の幅がいずれも、該マスクの共振器長方向の所定の位置から該マスクの共振器長方向の一方の端部に向かって、徐々に狭くなっているものとした。【効果】所望の成長速度増大率の変化をマスク幅だけで制御するため、マスクパターンの設計が容易となる。

Claim (excerpt)：

一対の共振器端面間に共振器長方向に連続してレーザダイオードと光導波路レンズとを集積化した半導体光装置の、上記共振器端面間を結んで配置されるストライプ状の光導波路を構成する半導体層を、選択領域成長によって形成する際に用いる選択成長用マスクであって、上記光導波路を構成する半導体層が結晶成長される基板の表面上に,その平面形状が、上記基板表面上の上記共振器長方向に延びる仮想直線に対して線対称になるように配置される、一対の誘電体膜からなり、上記誘電体膜の相互に対向する辺が、ともに上記仮想直線に対し平行であり、かつ、上記誘電体膜の共振器長方向に対して垂直方向の幅は、ともに該膜の共振器長方向の所定の位置から該膜の共振器長方向の一方の端部に向かって徐々に狭くなっていることを特徴とする選択成長用マスク。

IPC (3)：

H01S 3/18 , C30B 25/04 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 , C30B 25/04 , H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体光集積素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-042831 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザアレイおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-154040 Applicant：日本電気株式会社
半導体光デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-179313 Applicant：三菱電機株式会社

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