半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000159544
Publication number (International publication number)：2001338988
Application date： May. 25, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】MODFETと他の素子との段差が小さく、微細加工に適した高速動作可能な半導体装置を得る。【解決手段】MODFETの真性部分8,9を、半導体基板1に側面が絶縁膜7で底面が単結晶シリコン1の溝を形成し、この溝内に選択成長させることにより形成する。【効果】同一基板に混載する他の素子との段差をなくすことができ、各素子の微細化,高集積化が可能となる。同時に、灰船長を短くでき、低消費電力化が可能となる。

Claim (excerpt)：

同一半導体基板に形成されたMOSFET及びMODFETとを有し、上記MODFETの真性部分が上記半導体基板に形成された溝内に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 21/8249 , H01L 29/165 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (5)：

H01L 29/165 , H01L 27/08 102 A , H01L 27/06 101 U , H01L 27/06 321 A , H01L 29/72

F-Term (41)：

5F003BA21 , 5F003BA27 , 5F003BC08 , 5F003BE07 , 5F003BF06 , 5F003BG06 , 5F003BJ15 , 5F003BM01 , 5F003BN01 , 5F048AA08 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC05 , 5F048BA01 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BB20 , 5F048BC06 , 5F048BD09 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BG13 , 5F048CA03 , 5F048CA06 , 5F048CA09 , 5F048CA14 , 5F082AA06 , 5F082AA18 , 5F082AA40 , 5F082BA05 , 5F082BA21 , 5F082BA22 , 5F082BC03 , 5F082BC09 , 5F082CA01 , 5F082EA23 , 5F082EA24 , 5F082FA05 , 5F082GA02 , 5F082GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-262103 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-251714 Applicant：株式会社東芝
ひずみSi/SiGeヘテロ構造層を使用するCMOSトランジスタ論理回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-097158 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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