Pat
J-GLOBAL ID：200903042883230515
半導体装置および半導体装置の製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (2)：
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004001240
Publication number (International publication number)：2005197410
Application date： Jan. 06, 2004
Publication date： Jul. 21, 2005
Summary：
【課題】 Zn面を有するZnO系材料層を成長する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)無極性単結晶基板を準備する工程と、(b)前記無極性単結晶基板上に500°C〜800°Cの基板温度でMgO層を厚さ3nm以上エピタキシャルに成長する工程と、(c)前記MgO層上に500°C以下の基板温度でZnO系材料の低温成長層を成長する工程と、(d)前記基板上の低温成長層を700°C以上の温度でアニールする工程と、(e)アニールした前記低温成長層の上に600°C以上の温度でZnO系材料の高温成長層をエピタキシャルに成長する工程と、を含む。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
単結晶表面を有する下地と、
前記下地上方に成長され、その上にZnO層を成長する時、+c極性を形成することのできるMgOエピタキシャル層と、
前記MgOエピタキシャル層上に成長された+c極性のZnOまたは(Zn,Mg,Cd、Be)(O,S,Se,Te)混晶のエピタキシャル層と、
を有する半導体装置。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (11)：
5F041AA04
, 5F041AA11
, 5F041CA05
, 5F041CA41
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA66
, 5F041CA85
, 5F041CA87
, 5F041CA88
Cited by applicant (5)
-
ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-245220
Applicant：スタンレー電気株式会社, 八百隆文
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結晶成長用基板およびZnO系化合物半導体デバイス
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-086247
Applicant：スタンレー電気株式会社
-
GaN基板作製方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-075480
Applicant：株式会社東北テクノアーチ
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Cited by examiner (3)
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