Pat

J-GLOBAL ID：200903043165002713

p型半導体

Inventor： 瀧澤 俊幸
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 新居 広守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003059520
Publication number (International publication number)：2004273595
Application date： Mar. 06, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：

【課題】低抵抗なp型半導体を実現する。【解決手段】半導体である母体材料100と、母体材料100に添加され、母体材料100を構成する元素の価電子数よりも少ない価電子数を有し、アクセプタ準位を形成するアクセプタ元素110と、母体材料100に添加され、母体材料100を構成する元素と同一の価電子数を有し、かつ、母体材料100を構成する元素よりも小さい電気陰性度を有し、アクセプタ準位の正孔を活性化する局在バンドを形成する局在バンド形成元素120とを含む。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体であって、 前記半導体を構成する元素の価電子数よりも少ない価電子数を有するアクセプタ元素と、 前記半導体を構成する元素と同一の価電子数を有し、かつ、当該元素よりも小さい電気陰性度を有する局在バンド形成元素とを含む ことを特徴とするp型半導体。

IPC (6)：

H01L29/207 ,  H01L21/18 ,  H01L21/34 ,  H01L29/227 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

FI (6)：

H01L29/207 ,  H01L21/18 ,  H01L21/34 ,  H01L29/227 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

F-Term (16)：

5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041FF01 ,  5F052KA05 ,  5F073BA05 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB16 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 窒化物半導体発光素子およびそれを用いた光学装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-063421   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平2-275682
  
• 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-045809   Applicant：シャープ株式会社
• p型II-VI族化合物半導体結晶、その成長方法及びそれを用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-142059   Applicant：スタンレー電気株式会社, 八百隆文
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-309822   Applicant：株式会社リコー

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Activation energy and electrical activity of Mg in Mg-doped InxGa1-xN(x<0.2)