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J-GLOBAL ID：200903043456953251

GaN単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法

Inventor：
上野 昌紀

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高須賀 英良

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ス-ジン チュア

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ペン チェン

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Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

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インスティテュート オブ マテリアルズ リサーチ アンド エンジニアリング

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Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002137722
Publication number (International publication number)：2003327497
Application date： May. 13, 2002
Publication date： Nov. 19, 2003
Summary：
【要約】【課題】 表面が平坦であるGaN単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係るGaN単結晶基板11は、研磨された表面が、少なくともNH3ガスを含む混合ガス雰囲気中、基板温度1020°C以上で10分以上熱処理されている。したがって、このGaN単結晶基板11においては、研磨により微細な欠陥が多数形成された基板11表面において、原子再配列がおこなわれ、基板11表面が平坦化されている。それにより、この基板11上に形成するエピタキシャル層12の表面を平坦にすることが可能である。
Claim (excerpt)：
研磨された表面が、少なくともNH3ガスを含む混合ガス雰囲気中、基板温度1020°C以上で10分以上熱処理されて、前記表面が平坦化されていることを特徴とするGaN単結晶基板。
IPC (4)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (4)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
F-Term (39)：
4G077AA03 ,  4G077AB08 ,  4G077BE11 ,  4G077DA05 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EE01 ,  4G077SC05 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TC19 ,  4G077TK04 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045GH03 ,  5F045HA01 ,  5F073BA05 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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