Pat
J-GLOBAL ID：200903043506987292
半導体装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
真田 有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005060186
Publication number (International publication number)：2006245373
Application date： Mar. 04, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：
【課題】 量子ドットを備える半導体装置において、量子ドットを含む量子ドット層の結晶性を向上させる。【解決手段】 第1の格子定数を有する半導体結晶からなるバリア層3と、バリア層上に形成され、第2の格子定数を有する半導体結晶からなる複数の量子ドット4と、複数の量子ドットのそれぞれの側面に接するように形成され、第3の格子定数を有する半導体結晶からなるサイドバリア層5とを有する量子ドット層8とを備えるものとし、バリア層、量子ドット及びサイドバリア層が、第1の格子定数の値と第2の格子定数の値との差と、第1の格子定数の値と第3の格子定数の値との差とが反対の符号になるように構成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1の格子定数を有する半導体結晶からなるバリア層と、
前記バリア層上に形成され、第2の格子定数を有する半導体結晶からなる複数の量子ドットと、前記複数の量子ドットのそれぞれの側面に接するように形成され、第3の格子定数を有する半導体結晶からなるサイドバリア層とを有する量子ドット層とを備え、
前記バリア層、前記量子ドット及び前記サイドバリア層が、前記第1の格子定数の値と前記第2の格子定数の値との差と、前記第1の格子定数の値と前記第3の格子定数の値との差とが反対の符号になるように構成されることを特徴とする、半導体装置。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (9)：
5F173AA22
, 5F173AF09
, 5F173AF12
, 5F173AF28
, 5F173AF32
, 5F173AG12
, 5F173AH12
, 5F173AP05
, 5F173AR81
Cited by applicant (1)
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量子光半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-273178
Applicant：富士通株式会社
Cited by examiner (5)
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-370631
Applicant：富士通株式会社
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-397796
Applicant：筑波大学長
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半導体レーザ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-175674
Applicant：富士通株式会社
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Article cited by the Patent：
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