薄膜層を有する複合半導体

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002092816
Publication number (International publication number)：2003298032
Application date： Mar. 28, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】高い開放電圧と高い曲線因子と短絡電流のバランスがとれた高い変換効率を有する光化学電池を提供する。【解決手段】結晶性n型半導体をコアとし、該コアの表面を絶縁体またはコアを形成するn型半導体より高い伝導帯準位を有するn型半導体のいずれかからなる厚さ1nm未満のシェルで被覆してなる複合半導体を含有する半導体の膜が導電性支持体上に積層されてなる光電変換素子を用いる。

Claim (excerpt)：

結晶性n型半導体をコアとし、該コアの表面を絶縁体またはコアを形成するn型半導体より高い伝導帯準位を有するn型半導体のいずれかからなる厚さ1nm未満のシェルで被覆してなる複合半導体。

IPC (4)：

H01L 27/14 , H01L 29/12 , H01L 31/04 , H01M 14/00

FI (4)：

H01M 14/00 P , H01L 27/14 Z , H01L 31/04 Z , H01L 29/14

F-Term (17)：

4M118AA01 , 4M118AB10 , 4M118CA14 , 5F051AA07 , 5F051AA14 , 5F051BA11 , 5F051CB13 , 5F051CB15 , 5F051GA03 , 5H032AA06 , 5H032AS06 , 5H032AS16 , 5H032BB05 , 5H032CC16 , 5H032EE01 , 5H032EE02 , 5H032EE16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

光電変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-334130 Applicant：日立マクセル株式会社
酸化物半導体電極の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-189224 Applicant：株式会社豊田中央研究所
色素増感型太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-281830 Applicant：住友大阪セメント株式会社

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