フォトダイオード及びそれを含む撮像素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 近藤伊知良 , 諏澤勇司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008081662
Publication number (International publication number)：2009238940
Application date： Mar. 26, 2008
Publication date： Oct. 15, 2009
Summary：

【課題】簡易な構造でリーク電流を低減しつつ、光検出効率を向上させること。【解決手段】このフォトダイオード1は、シリコン基板2と、基板2上に形成された埋め込み絶縁層3と、埋め込み絶縁層3上の領域A1に形成された半導体層5と、半導体層5上に形成されたゲート絶縁層6と、ゲート絶縁層6上に形成されたゲート電極層7と、埋め込み絶縁層3上において領域A1を挟んで半導体層5に隣接して形成されたp+型半導体層8及びn+型半導体層9とを備え、ゲート電極層7には、入射光に応じた表面プラズモンによって近接場光を発生させる周期的な凹凸構造が、表面に沿って形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体又は金属から成る基板と、前記基板上に形成された埋め込み絶縁層と、前記埋め込み絶縁層上の所定領域に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極層と、前記埋め込み絶縁層上において前記所定領域を挟んで前記半導体層に隣接して形成されたp型半導体層及びn型半導体層とを備え、前記ゲート電極層には、入射光に応じた表面プラズモンによって近接場光を発生させる周期的な凹凸構造が、表面に沿って形成されている、ことを特徴とするフォトダイオード。

IPC (2)：

H01L 31/10 , H01L 27/146

FI (3)：

H01L31/10 E , H01L27/14 C , H01L31/10 H

F-Term (19)：

4M118AA01 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA07 , 4M118CA11 , 4M118FA06 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 5F049MA14 , 5F049MB02 , 5F049NA01 , 5F049NA05 , 5F049NB01 , 5F049NB05 , 5F049NB07 , 5F049SE05 , 5F049SE09 , 5F049SE20 , 5F049SS02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

フォトダイオードとその製造方法
Gazette classification：再公表公報 Application number：JP2005006660 Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (8)

光センサ用ダイオード、これを用いた画像入力回路、および画像入力回路の駆動方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-281665 Applicant：東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社
光電変換素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-230570 Applicant：キヤノン株式会社
フォトダイオードとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-099074 Applicant：日本電気株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Photocurrent spectroscopy of optical absorption enhancement in silicon photodiodes via scattering fr

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