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J-GLOBAL ID：200903043652885124

光電変換装置の製造方法および光電変換装置

Inventor：
呉屋 真之

About 呉屋 真之

, 
山下 信樹

About 山下 信樹

, 
米倉 義道

About 米倉 義道


Applicant, Patent owner：
三菱重工業株式会社

About 三菱重工業株式会社


Agent (2)： 工藤 実 ,  中尾 圭策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005031130
Publication number (International publication number)：2006216921
Application date： Feb. 07, 2005
Publication date： Aug. 17, 2006
Summary：
【課題】製造される光電変換装置の変換効率を保ちつつ、発電層の製膜速度を向上させることができる光電変換装置の製造方法を提供すること【解決手段】本発明によれば、光電変換装置1は、チャンバ11内に放電電極12と接地電極13が対向するように設置されたプラズマCVD装置10を用いて製造される。その製造方法は、(A)放電電極12に対向するように、基板20を接地電極13に設置する工程と、(B)基板20と放電電極12との間の距離を8mm未満に設定する工程と、(C)チャンバ11内に材料ガス21を供給する工程と、(D)チャンバ11内の圧力を600Pa以上に設定する工程と、(E)放電電極12に超高周波電力を供給し材料ガス21をプラズマ化することによって、基板20に対して発電層であるi層5を製膜する工程とを備える。【選択図】 図7
Claim (excerpt)：
チャンバ内に放電電極と接地電極が対向するように設置されたプラズマCVD装置を用いた光電変換装置の製造方法であって、 (A)前記放電電極に対向するように、p層を製膜した基板を前記接地電極に設置する工程と、 (B)前記基板と前記放電電極との間の距離を8mm以下に設定する工程と、 (C)前記基板を前記接地電極に内蔵された加熱器により180〜220°Cに加熱する工程と、 (D)前記チャンバ内に材料ガスを供給する工程と、 (E)前記チャンバ内の圧力を600Pa〜2000Paに設定する工程と、 (F)前記放電電極に超高周波電力を供給し前記材料ガスをプラズマ化することによって、前記基板に対して発電層を製膜する工程と、 (G)前記発電層上にn層を製膜する工程と を具備する 光電変換装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L31/04 X ,  H01L21/205
F-Term (15)：
5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD05 ,  5F045AE19 ,  5F045CA13 ,  5F051AA04 ,  5F051BA14 ,  5F051CA15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA16 ,  5F051DA18 ,  5F051FA03 ,  5F051GA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (12)
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