シリコン系薄膜光起電力素子及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000203889
Publication number (International publication number)：2002026348
Application date： Jul. 05, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】大面積基板への均一製膜が可能で、かつ優れた光電変換特性を有するシリコン系薄膜光起電力素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板とラダー状の電極との間にシリコンを含む原料ガスおよび水素ガスを供給するとともに周波数が10MHz以上300MHz以下の高周波を印加することにより生成されるプラズマを利用するプラズマCVD法を用いて基板上に製膜されたシリコン系薄膜を光電変換層として有する。

Claim (excerpt)：

基板とラダー状の電極との間にシリコンを含む原料ガスおよび水素ガスを供給するとともに周波数が10MHz以上300MHz以下の高周波を印加することにより生成されるプラズマを利用するプラズマCVD法を用いて基板上に製膜されたシリコン系薄膜を光電変換層として有することを特徴とする光起電力素子。

IPC (4)：

H01L 31/04 , C23C 16/505 , H01L 21/205 , H01L 31/10

FI (4)：

C23C 16/505 , H01L 21/205 , H01L 31/04 V , H01L 31/10 A

F-Term (56)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA16 , 4K030BA21 , 4K030BA29 , 4K030BA45 , 4K030BA47 , 4K030BB12 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030CA17 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA09 , 4K030JA11 , 4K030JA12 , 4K030JA13 , 4K030JA18 , 4K030JA20 , 4K030KA15 , 5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F045EE12 , 5F045EH12 , 5F045EK27 , 5F049MA04 , 5F049MB04 , 5F049MB05 , 5F049NA01 , 5F049NA20 , 5F049PA03 , 5F049PA18 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051BA12 , 5F051CA07 , 5F051CA08 , 5F051CA16 , 5F051CA23 , 5F051CA24 , 5F051CA34 , 5F051DA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

プラズマ化学蒸着装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-119142 Applicant：三菱重工業株式会社
プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-225089 Applicant：三菱重工業株式会社
非晶質シリコン太陽電池及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-339702 Applicant：三菱重工業株式会社

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