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J-GLOBAL ID：200903043998330277

表面粗化による高効率の(B,Al,Ga,In)Nベースの発光ダイオード

Inventor： 藤井 哲雄 ,  ガオ, ヤン ,  フー, イーブリン エル. ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2005512858
Publication number (International publication number)：2007521641
Application date： Dec. 09, 2003
Publication date： Aug. 02, 2007
Summary：

窒化ガリウム(GaN)ベースの発光ダイオード(LED)で、光はLEDの窒素面(N面)(42)を介して取り出される。また、N面(42)の表面は1つ以上の六角形状円錐に粗くされる。表面を粗くすると、LED内部で繰り返し起こる光の反射が減り、そのため、より多くの光をLEDから取り出せる。N面(42)の表面は、異方性エッチングによって粗くされる。この異方性エッチングとしては、乾式エッチング、PECエッチングが挙げられ得る。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム(GaN)ベースの発光ダイオード(LED)であって、光は該LEDの窒素面(N面)を介して取り出され、該N面の表面は粗くされる、LED。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/306

FI (2)：

H01L33/00 C ,  H01L21/306 B

F-Term (11)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F043AA16 ,  5F043BB06 ,  5F043DD08 ,  5F043FF10 ,  5F043GG04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第3,739,217号明細書
  

Cited by examiner (5)

• 発光半導体素子
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-579374   Applicant：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-269387   Applicant：住友電気工業株式会社
• III-V族窒化物系半導体基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-084963   Applicant：日本電気株式会社, 日立電線株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-179915   Applicant：株式会社東芝
• 発光ダイオードランプおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-350879   Applicant：ローム株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• GaN nanotip pyramids formed by anisotropic etching
• Characterization of inductively coupled plasma etched surface of GaN using Cl2/BCl3 chemistry
• 白色LED照明システムの高輝度・高効率・長寿命化技術, 20030327, 第19頁